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IC Datasheet频道、中国IC资料网

STL100N6LF6 Datasheet

IC型号：
STL100N6LF6
PDF描述：
MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
文件大小：
2353.00KB
PDF页数：
15页

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上传产品规格书

STL100N6LF6 产品属性

现有数量
835现货
价格
1 : ￥26.95000剪切带（CT）
系列
DeepGATE?, STripFET? VI
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerFlat?（5x6）
封装/外壳
8-PowerVDFN

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型号

版本

描述

厂商

下载
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