STP9N65M2 Datasheet

IC型号：
STP9N65M2
PDF描述：
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB
文件大小：
1353.00KB
PDF页数：
23页

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STP9N65M2 产品属性

现有数量
963现货
价格
1 : ￥14.39000管件
系列
MDmesh?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
900 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
315 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3

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