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IC Datasheet频道、中国IC资料网

STS9P2UH7 Datasheet

IC型号：
STS9P2UH7
PDF描述：
MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
文件大小：
695.00KB
PDF页数：
6页

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上传产品规格书

STS9P2UH7 产品属性

现有数量
0现货
价格
停产
系列
STripFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
22 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2390 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.7W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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型号

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描述

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