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IC Datasheet频道、中国IC资料网

TPCC8002-H(TE12L,Q Datasheet

IC型号：
TPCC8002-H(TE12L,Q
PDF描述：
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
文件大小：
180.00KB
PDF页数：
7页

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上传产品规格书

TPCC8002-H(TE12L,Q 产品属性

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
22A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.3 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2500pF @ 10V
功率 - 最大
30W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-TSON
包装
带卷 (TR)
其它名称
TPCC8002-H(TE12LQTR

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型号

版本

描述

厂商

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