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UMD4NTR Datasheet

IC型号：
UMD4NTR
PDF描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biase...
文件大小：
599.00KB
PDF页数：
8页

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UMD4NTR 产品属性

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
30mA，70mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
47k，10k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
68 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
250MHz
功率 - 最大
150mW，120mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装
UMT6
包装
带卷 (TR)

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型号

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描述

厂商

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UMD4N

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General purpose (dual digital transistors)

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