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IC Datasheet频道、中国IC资料网

US6K4TR Datasheet

IC型号：
US6K4TR
PDF描述：
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
文件大小：
72.00KB
PDF页数：
4页

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US6K4TR 产品属性

特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
110pF @ 10V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商设备封装
TUMT6
包装
带卷 (TR)

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型号

版本

描述

厂商

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