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IC Datasheet频道、中国IC资料网

VT6M1T2CR Datasheet

IC型号：
VT6M1T2CR
PDF描述：
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
文件大小：
702.00KB
PDF页数：
9页

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VT6M1T2CR 产品属性

现有数量
66,811现货
价格
1 : ￥3.26000剪切带（CT）8,000 : ￥0.54091卷带（TR）
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
最后售卖
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1pF @ 10V
功率 - 最大值
120mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装
VMT6

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型号

版本

描述

厂商

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VT6M1T2CR

英文版

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

VT6M1T2CR

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