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IC Datasheet频道、中国IC资料网

VWM350-0075P数据手册封面

VWM350-0075P Datasheet

IC型号：
VWM350-0075P
PDF描述：
Three phase full bridge with Trench MOSFETs
文件大小：
73.85KB
PDF页数：
2 Pages页
芯片厂家：
IXYS [IXYS Corporation]

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上传产品规格书

VWM350-0075P 产品属性

标准包装
6
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
6 N-沟道（3 相桥）
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
340A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.3 毫欧 @ 250A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
450nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
-
安装类型
通孔
封装/外壳
V2-PAK
供应商设备封装
V2-PAK
包装
盒

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VWM350-007...

英文版

Three phase full bridge with Trench MOSFETs

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Three phase full bridge with Trench MOSFETs

IXYS [IXYS...

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