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MRF7S18170HR3 Datasheet

  • MRF7S18170HR3

  • Freescale Semiconductor, Inc [RF Power Field Effect Transis...

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  • FREESCALE

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Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25掳C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Video Bandwidth
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
螖IMD3
= IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
Gain Flatness in 75 MHz Bandwidth @ P
out
= 170 W CW
Deviation from Linear Phase in 75 MHz Bandwidth @ P
out
= 170 W CW
Group Delay @ P
out
= 170 W CW, f = 1840 MHz
Part - to - Part Insertion Phase Variation @ P
out
= 170 W CW,
f = 1840 MHz
Gain Variation over Temperature
Output Power Variation over Temperature
Symbol
VBW
鈥?/div>
25
鈥?/div>
Min
Typ
Max
Unit
MHz
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, 1805 - 1880 MHz Bandwidth
G
F
桅
Delay
螖桅
螖G
螖P1dB
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
0.4
2.5
4.2
15
0.015
0.01
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
dB
掳
ns
掳
dB/掳C
dBm/掳C
MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
3

MRF7S18170HR3 PDF文件相关型号

MRF7S18170HSR3

MRF7S18170HR3 产品属性

  • RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011

  • 250

  • 分离式半导体产品

  • RF FET

  • -

  • LDMOS

  • 1.81GHz

  • 17.5dB

  • 28V

  • 10µA

  • -

  • 1.4A

  • 50W

  • 65V

  • NI-880

  • NI-880

  • 带卷 (TR)

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