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EDX5116ABSE-3B-E Datasheet

  • EDX5116ABSE-3B-E

  • 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)

  • 3580.77KB

  • 78页

  • ELPIDA

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EDX5116ABSE
Figure 2
512Mb (8x4Mx16) XDR DRAM Block Diagram
RQ11..0
12
VREF
1
CFM CFMN
RST,SCK,CMD,SDI SDO
4
1
2/t
CYCLE
12
1:2 Demux
12
reg
12
Decode
1/t
CYCLE
1/t
CYCLE
2/t
CYCLE
16/ t
CC
Control Registers
12
COL logic
7
6+4
RD,WR
delay
{0..1}*t
CYCLE
PRE logic
3
3
PRE delay
{0..3}*t
CYCLE
ACT logic
12
3
REFB,REFr
Power Mode Logic
Calibration Logic
Refresh Logic
Initialization Logic
WIDTH
...
ACT delay
{0..1}*t
CYCLE
1/t
RR
3
12
1/t
PP
2
3
decode
1
...
ACT
ACT
ROW
ROW
Bank Array
Bank 0
16x16*2
6
*2
12
R,REFr
reg
BA,BR,REFB
1
2
3
decode
1
1
PRE
BP,BR,REFB
reg
3
...
PRE
Bank 0
16x16*2
6
1/t
CC
reg
BC
C
reg
SC
M
16x16
Byte Mask (WR)
Dynamic Width Demux (WR)
16x16
D[15:0][15:0]
...
...
Bank
(2
3
- 1)
16x16*2
6
...
2
3
decode
1
1
...
R/W
R/W
COL
COL
Sense Amp Array
16x16*2
6
Sense Amp 0
3
6
4
8
...
Sense Amp
(2
3
- 1)
...
16x16
Q[15:0][15:0]
16x16
16x16
WIDTH
S[15:0][15:0]
Dynamic Width Mux (RD)
16x16
16
16/t
CC
16
termination
16
2
VTERM
16
DQ15..0
16
DQN15..0
Preliminary Data Sheet E0643E30 (Ver. 3.0)
9
...
1:16 Demux
16:1 Mux
...
16
...
...
16/t
CC

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