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2SC5508 Datasheet

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2SC5508
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 掳C)
Parameter
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
RF Characteristics
Reverse Transfer Capacitance
Gain Bandwidth Product
Noise Figure
Insertion Power Gain
Maximum Available Power Gain
Maximum Stable Power Gain
Output Power at 1 dB
Compression Point
Output Power at Third Order
Intercept Point
C
re
Note 2
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
I
CBO
I
EBO
h
FE
Note 1
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
鈥?/div>
鈥?/div>
50
鈥?/div>
鈥?/div>
70
200
200
100
nA
nA
鈥?/div>
V
CB
= 2 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
V
CE
= 3 V, I
C
= 30 mA, f = 2 GHz
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz, Z
S
= Z
opt
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA
Note 5
鈥?/div>
20
鈥?/div>
14
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
0.18
25
1.1
17
19
20
11
0.24
鈥?/div>
1.5
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
pF
GHz
dB
dB
鈥?/div>
dB
dBm
f
T
NF
|S
21e
|
2
MAG
MSG
Note 3
Note 4
P
-1
, f = 2 GHz
OIP
3
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA
Note 5
, f = 2 GHz
鈥?/div>
22
鈥?/div>
鈥?/div>
Notes 1.
Pulse measurement PW
鈮?/div>
350
碌
s, Duty cycle
鈮?/div>
2 %
2.
Emitter to base capacitance measured using capacitance meter (self-balancing bridge method) when
the emitter is connected to the guard pin
S
21
k 鈥?k
2
鈥?1
3.
MAG =
S
12
S
21
4.
MSG =
S
12
5.
Collector current when P
-1
is output
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
Marking
h
FE
FB
T79
50 to 100
2
Preliminary Data Sheet P13865EJ1V0DS00

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2SC5508-T2

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  • 2SC503
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
    2SC503
  • 2SC504
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
    2SC504
  • 2SC505
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
    2SC505
  • 2SC505
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
    2SC505
  • 2SC506
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
    2SC506
  • 2SC506
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
    2SC506
  • 2SC507
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
    2SC507
  • 2SC507
    英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
    2SC507
  • 2SC508
    英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
    2SC508
  • 2SC510
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
    2SC510
  • 2SC512
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
    2SC512
  • 2SC515
    英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
    2SC515
  • 2SC517
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-37
    ETC
    2SC517
  • 2SC522
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VA...
    ETC
    2SC522
  • 2SC524
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VAR
    ETC
    2SC524
  • 2SC526
    英文版
    ETC [High Voltage Transistors]
    ETC
    2SC526
  • 2SC535
    英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
    2SC535
  • 2SC536
    英文版
    TRANSISTOR (NPN)
    ETC
    2SC536
  • 2SC536
    英文版
    TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
    江苏长电
    2SC536
  • 2SC537
    英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100MA I(C) | TO-106VAR
    ETC
    2SC537

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