2SC5593 Datasheet

  • 2SC5593

  • Hitachi Semiconductor [Silicon NPN Epitaxial High Frequency...

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  • HITACHI

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2SC5593
Power Gain vs. Collector Current
20
V
CE
= 3 V
2V
NF (dB)
5
V
CE
= 1 to 3 V
4
f = 1.8GHz
Noise Figure vs. Collector Current
(dB)
16
PG
12
1V
8
3
Power Gain
Noise Figure
f = 1.8GHz
2
5
10
20
50
100
2
4
1
0
1
0
1
2
5
10
20
50
100
Collector Current
I
C
(mA)
Collector Current
I
C
(mA)
20
|S
21
| (dB)
S
21
Parameter vs. Collector Current
V
CE
= 3 V
2V
16
2
12
1V
S
21
Parameter
8
4
f = 2GHz
1
2
5
10
20
50
100
0
Collector Current
I
C
(mA)
4

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