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2SK2090 Datasheet

  • 2SK2090

  • MOS Field Effect Transistor

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  • NEC

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2SK2090
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 藲C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
100
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
dT- Derating Factor - %
80
I
D
- Drain Current - mA
80
4.0 V
3.5 V
3.0 V
60
60
2.5 V
40
40
20
20
V
GS
= 2.0 V
0
60
90
120
30
T
A
- Ambient Temperature - 藲C
150
0
1
2
3
4
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
5
TRANSFER CHARACTERISTICS
100
|y
fs
| - Forward Transfer Admittance - mS
V
DS
= 3 V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
V
DS
= 3 V
10
I
D
- Drain Current - mA
T
A
= 鈥?5藲 C
50
25藲 C
1
T
A
= 75藲C
25藲C
鈥?5藲C
125 藲C
0.1
20
0.01
0.001
0
1
2
3
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
10
1
2
5
10
20
I
D
- Drain Current - A
50
100
R
DS(on)
- Drain to Source On-State Resistance -
鈩?/div>
100
50
R
DS(on)
- Drain to Source On-State Resistance -
鈩?/div>
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
V
GS
= 2.5 V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
100
50
T
A
= 75 藲C
25 藲C
鈥?5 藲C
V
GS
= 4 V
20
10
5
T
A
= 75 藲C
25 藲C
鈥?5 藲C
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
I
D
- Drain Current - mA
50
100
2
1
1
2
5
10
20
I
D
- Drain Current - mA
50
100
3

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