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2SK2908-01L Datasheet

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  • N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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N-channel MOS-FET
600V
2SK2908-01L,S
FAP-IIIB Series
Drain-Source On-State Resistance vs. T
ch
R
DS(on)
= f(T
ch
); I
D
=4,5A; V
GS
=10V
1,2鈩?/div>
卤9A
60W
> Characteristics
Typical Output Characteristics
I
D
=f(V
DS
); 80碌s pulse test; T
C
=25掳C
Typical Transfer Characteristics
I
D
=f(V
GS
); 80碌s pulse test; V
DS
=25V; T
ch
=25掳C
鈫?/div>
I
D
[A]
鈫?/div>
1
R
DS(ON)
[m
鈩?/div>
]
鈫?/div>
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
鈫?/div>
T
ch
[掳C]
鈫?/div>
V
GS
[V]
鈫?/div>
Typical Drain-Source On-State-Resistance vs. I
D
R
DS(on)
=f(I
D
); 80碌s pulse test; T
C
=25掳C
Typical Forward Transconductance vs. I
D
g
fs
=f(I
D
); 80碌s pulse test; V
DS
=25V; T
ch
=25掳C
Gate Threshold Voltage vs. T
ch
V
GS(th)
=f(T
ch
); I
D
=1mA; V
DS
=V
GS
鈫?/div>
R
DS(ON)
[m
鈩?/div>
]
鈫?/div>
g
fs
[S]
鈫?/div>
5
V
GS(th)
[V]
4
6
I
D
[A]
鈫?/div>
I
D
[A]
鈫?/div>
T
ch
[掳C]
鈫?/div>
Typical Capacitances vs. V
DS
C=f(V
DS
); V
GS
=0V; f=1MHz
Typical Gate Charge Characteristic
V
GS
=f(Qg); I
D
=9A; T
C
=25掳C
Forward Characteristics of Reverse Diode
I
F
=f(V
SD
); 80碌s pulse test;VGS=0V
鈫?/div>
C [F]
鈫?/div>
V
DS
[V]
鈫?/div>
V
GS
[V]
鈫?/div>
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
鈫?/div>
Qg [nC]
鈫?/div>
V
SD
[V]
鈫?/div>
Maximum Avalanche Energy vs. starting T
ch
Eas=f(starting T
ch
): V
CC
=60V; I
AV
鈮?A
Safe Operation Area
I
D
=f(V
DS
): D=0,01, Tc=25掳C
Transient Thermal impedance
鈫?/div>
E
AV
[mJ]
10
鈫?/div>
I
D
[A]
12
鈫?/div>
Z
th(ch-c)
[K/W]
Z
thch
=f(t) parameter:D=t/T
starting T
ch
[掳C]
鈫?/div>
V
DS
[V]
鈫?/div>
t [s]
鈫?/div>
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    英文版
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  • 2SK208
    英文版
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    Toshiba
    2SK208
  • 2SK209
    英文版
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    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
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    2sk213
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    HITACHI
    2SK214
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