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2sd1527 Datasheet

  • 2sd1527

  • Silicon NPN Triple Diffused

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  • hitachi

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2SD1527
Electrical Characteristics
(Ta = 25掳C)
Item
Symbol
Min
1000
5
鈥?/div>
10
10
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Typ
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
5
5
Max
鈥?/div>
鈥?/div>
10
鈥?/div>
鈥?/div>
1.2
5
鈥?/div>
鈥?/div>
V
V
MHz
pF
Unit
V
V
碌A
Test conditions
I
C
= 1 mA, R
BE
=
鈭?/div>
I
E
= 1 mA, I
C
= 0
V
CB
= 800 V, I
E
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA
I
C
= 300 mA, I
B
= 60 mA
V
CE
= 20 V, I
C
= 50 mA
V
CB
= 100 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Collector to emitter breakdown V
(BR)CEO
voltage
Emitter to base breakdown
voltage
Collector cutoff current
DC current transfer ratio
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE1
h
FE2
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation
voltage
Gain bandwidth product
Collector output capacitance
V
BE
V
CE (sat)
f
T
Cob
Maximum Collector Dissipation Curve
30
Collector power dissipation Pc (W)
1.0
Area of Safe Operation
T
C
= 25掳C
(50 V, 0.5 A)
Collector current I
C
(A)
P
C
20
=
25
W
0.1
DC Operation
(600 V, 0.042 A)
10
(1,000 V, 0.015 A)
0
50
100
Case temperature T
C
(掳C)
150
0.01
30
100
300
1,000
3,000
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
2

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