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2sk1517 Datasheet

  • 2sk1517

  • Silicon NPN Triple Diffused

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  • hitachi

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2SK1517, 2SK1518
Electrical Characteristics
(Ta = 25掳C)
Item
Drain to source
breakdown voltage
Symbol Min
2SK1517 V
(BR)DSS
2SK1518
V
(BR)GSS
I
GSS
450
500
卤30
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
卤10
250
V
碌A
碌A
I
G
=
卤100 碌A,
V
DS
= 0
V
GS
=
卤25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS(off)
2.0
鈥?/div>
鈥?/div>
|yfs|
Ciss
Coss
Crss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
t
rr
10
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
0.20
0.22
16
3050
940
140
35
130
240
105
1.0
120
3.0
0.25
0.27
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 20 A, V
GS
= 0
I
F
= 20 A, V
GS
= 0,
di
F
/dt = 100 A/碌s
I
D
= 10 A, V
GS
= 10 V,
R
L
= 3
鈩?/div>
I
D
= 10 A, V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
f = 1 MHz
V
鈩?/div>
I
D
= 1 mA, V
DS
= 10 V
I
D
= 10 A, V
GS
= 10 V *
1
Typ
鈥?/div>
Max
鈥?/div>
Unit
V
Test conditions
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
Gate to source leak current
Zero gate voltage
drain current
2SK1517 I
DSS
2SK1518
Gate to source cutoff voltage
Static Drain to source 2SK1517 R
DS(on)
on state resistance
2SK1518
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Body to drain diode forward
voltage
Body to drain diode reverse
recovery time
Note:
1. Pulse test
3

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    版本
    描述
    厂商
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    ETC
    2SK12
  • 2SK15
    英文版
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    ETC
    2SK15
  • 2SK18
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    ETC
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