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2sk168 Datasheet

  • 2sk168

  • Silicon NPN Triple Diffused

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  • hitachi

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2SK168
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25掳C)
Item
Gate to drain voltage
Gate to source voltage
Gate current
Drain current
Channel power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
GDO
V
GSS
I
G
I
D
Pch
Tch
Tstg
Ratings
鈥?0
鈥?
10
20
200
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mW
掳C
掳C
Electrical Characteristics
(Ta = 25掳C)
Item
Gate to drain breakdown
voltage
Gate cutoff current
Drain current
Gate to source cutoff voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance
Reverse transfer capacitance
Power gain
Noise figure
Note:
D
4 to 8
Symbol
V
(BR)GDO
I
GSS
I
DSS
*
1
V
GS(off)
|y
fs
|
Ciss
Crss
PG
NF
Min
鈥?0
鈥?/div>
4
鈥?/div>
8
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Typ
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
10
6.8
0.1
27
1.7
Max
鈥?/div>
鈥?0
20
鈥?.0
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Unit
V
nA
mA
V
mS
pF
pF
dB
dB
Test conditions
I
G
= 鈥?00
碌A,
I
S
= 0
V
GS
= 鈥?.5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0
V
DS
= 5 V, I
D
= 10
碌A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0, f = 1 kHz
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0,
f = 100 MHz
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0,
f = 100 MHz
1. The 2SK168 is grouped by I
DSS
as follows.
E
6 to 12
F
10 to 20
2

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    版本
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