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IRFR420 Datasheet

  • IRFR420

  • 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

  • 55.19KB

  • Intersil

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IRFR420, IRFU420
Typical Performance Curves
10
Unless Otherwise Speci铿乪d
(Continued)
5
V
GS
= 10V
PULSE DURATION = 80碌s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 6.0V
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
100碌s
4
3
V
GS
= 5.5V
2
V
GS
= 5.0V
1
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 4.5V
150
200
250
1.0
OPERATION IN THIS
AREA IS LIMITED
BY r
DS(ON)
T
J
= MAX RATED
SINGLE PULSE
-10
-100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1ms
10ms
0.1
-1
-1000
0
0
50
100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
5
PULSE DURATION = 80碌s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
4
V
GS
= 10V
V
GS
= 6.0V
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
10
PULSE DURATION = 80碌s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
鈮?/div>
50V
1
3
V
GS
= 5.5V
2
V
GS
= 5.0V
V
GS
4.0V
0
0
16
8
12
4
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 4.5V
20
T
J
= 150
o
C
0.1
T
J
= 25
o
C
1
10
-2
0
2
4
6
8
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
10
NORMALIZED DRAIN TO SOURCE
ON RESISTANCE
PULSE DURATION = 80碌s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
3.0
r
DS(ON)
, DRAIN TO SOURCE
ON RESISTANCE (S)
8
V
GS
= 10V
6
2.4
PULSE DURATION = 80碌s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 10V, I
D
= 1.3A
1.8
4
V
GS
= 20V
1.2
2
0.6
0
0
0
2
4
6
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
8
10
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
4-410

IRFR420 产品属性

  • IRFR420, IRFU420

  • 3,000

  • 分离式半导体产品

  • FET - 单

  • -

  • MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 标准型

  • 500V

  • 2.4A

  • 3 欧姆 @ 1.4A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 19nC @ 10V

  • 360pF @ 25V

  • 2.5W

  • 表面贴装

  • TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

  • D-Pak

  • 管件

  • *IRFR420

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    版本
    描述
    厂商
    下载
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    SAMSUNG
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  • IRFR010
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    IRF
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