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FCA20N60

更新时间:2023-09-24 21:03:38

新新半导体（深圳）有限公司
FCA20N60
免费样品
FAIRCHILD

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TO-3PN

封装工艺
集成电路(IC)

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专注配单，只做原装进口现货

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FCA20N60的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FCA20N60外观图

产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
标准包装：30
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：SuperFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：190 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：3080pF @ 25V
功率 - 最大：208W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装：TO-3PN
包装：管件
其它名称：FCA20N60_NLFCA20N60_NL-ND

FCA20N60 相关信息

利用开关器件提高PFC效率的实现

...电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉。使用高压SuperFET和一个SiC肖特基二极管组成的CCM PFC测试电路，具体地说，将Fairchild公司的600-VN沟道SuperFET MOSFET（FCA20N60）和6A SiC肖特基二极管组合，与平面型MOSFET（FQA24N50）和超高速二极管（RURP860）组合进行比较，比较内容为开关损耗与功效。此测试电路的工作频率100kHz,输出电压和电流分别为400V与...

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