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FDC658AP

更新时间:2025-07-03 10:37:32

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香港晨兴安富利电子有限公司
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162
ON
SOT23/19+
进口原装现货

深圳市创科洋电子有限公司
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认证现货
30000
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深圳市言信微科技有限公司
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优势
27000
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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优势
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YS/优尚
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优势产品大量库存原装现货

深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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优势免费样品
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昂富（深圳）电子科技有限公司
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SOT236/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市华普冠科电子科技有限公
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原装微信回复快

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市汇创佳电子科技有限公司
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深圳市新亿利电子有限公司
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深圳市凯斯宇科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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18000
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SOT236/26+
官网可查icscjh.com

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7300
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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深圳市金华微盛电子有限公司
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53800
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SOT236/2026+
公司原装现货可开13%增值税

深圳市金灿利电子科技有限公司
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128000
FAIRCHILD
SOT236/23+
全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

深圳市特莱科技有限公司
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6000
ON/安森美
SUPERSOT6/-
特价批量支持

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FSC
SOT236/24/25+
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20000
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105000
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FDC658AP

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6

封装:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

FDC658AP 概述

FDC658AP是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的P沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，适用于高效功率管理应用。其典型应用包括负载开关、电源管理以及便携式设备中的电池保护电路。由于其紧凑的封装设计和优良的电气性能，FDC658AP在空间受限且对效率要求较高的场合中表现出色。使用时应注意正确选择栅极驱动电压以确保充分开启，同时需关注散热设计以维持长期稳定工作。在电路设计中，建议与适当的栅极电阻配合使用，以减少开关噪声并提高整体系统可靠性。

FDC658AP 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
50 毫欧 @ 4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
470pF @ 15V
功率 - 最大
800mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商设备封装
6-SOT
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDC658APTR

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