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FDFMA3P029Z

更新时间:2025-06-09 11:28:47
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FDFMA3P029Z 规格参数
  • 品牌：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
  • 包装：1/剪切带（CT）
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.3A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：87 毫欧 @ 3.3A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：435pF @ 15V
  • FET 功能：肖特基二极管（隔离式）
  • 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：6-MicroFET（2x2）
  • 封装/外壳：6-VDFN 裸露焊盘
芯知识
3.4万
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广东微尔科技有限公司
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