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FDN359BN

更新时间:2025-07-03 10:18:25

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香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货”，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
30000
ON
SOT3/20+
进口原装现货

深圳市创科洋电子有限公司
FDN359BN-NL
认证现货
30000
ON
SOT23/25+
ON全系列一级代理，深圳公司大量现货

深圳市凯鑫跃电子有限公司
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优势
3200
FAIRCHILD
SOT23/22+PB
进口原装现货，特价销售，库存数量不止，欢迎咨询

上海磐岳电子有限公司
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6000
ON
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进口原装，现货热卖

深圳市怡兴业电子科技有限公司
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原装现货

昂富（深圳）电子科技有限公司
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31008
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SOT23/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市金泽芯通电子科技有限公
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ON/安森美
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原装现货

现代芯城（深圳）科技有限公司
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NEW/NEW
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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16800
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一级代理分销/放心采购

深圳市金嘉锐电子有限公司
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Fairchild
SuperSOT/2026+
原装优势有货

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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ONSEMI
NA/2024+
只做原厂原装假一罚十

惠州市利湾智能科技有限责任公
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70000
ON
SSOT3/23+
原装现货

深圳市芯齐壹科技有限公司
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25000
FAIRCHILD/仙童
3SSOT/26+
官网可查icscjh.com

深圳市华斯顿科技有限公司
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FAIRCHILD/仙童
SOT23/26+24+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包

深圳市赛思尔科技有限公司
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FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
09+/23+
原装现货，长期供应

深圳市威雅利发展有限公司
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原装现货

深圳市英科美电子有限公司
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NA/2324+
保证全新原装

深圳市鸿源达电子有限公司
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100000
UMW
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全新原装现货

深圳市金灿利电子科技有限公司
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168000
FAIRCHILD/仙童
SOT23/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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60000
FSC
SOT23/2025+
原装现货

深圳市南烽电子有限公司
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5000
FAIRCHILD
SOT23/25+
原装现货，价格优势，提供配单服务

深圳市创芯联盈电子有限公司
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5000
ON/安森美
SOT233/2542+
保证原装提供一站式配套服务

现代芯城（深圳）科技有限公司
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69000
-
-/NEW
一级代理保证

深圳市捷立辉科技有限公司
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11980
GC
SOT23/24+
只做原装，原厂原装。合作共赢

海芯未来半导体电子（深圳）有
FDN359BN
7300
FSC
SOT23/2026+
行业十年，价格超越代理，支持权威机构检测

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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70000
ON
SSOT3/23+
原装现货

深圳市星韵芯电子有限公司
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1082
LITEON(台湾光宝)
-/24+
原装现货，支持BOM配单

云汉时代半导体(深圳）有限公
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5000
Fairchild(飞兆/仙童)
-/26+
原装现货

深圳市硅诺电子科技有限公司
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12500
FAIRCHILD
SSOT3/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市米数科技有限公司
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ON(安森美)
SOT23(SOT233)/25+
只做原装，价格市场

深圳市凯鑫跃电子有限公司
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36000
FAIRCHILD
SOT23/2020+PB
进口全新原装无铅房间现货

深圳市汇力胜科技有限公司
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6000
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SSOT3/-
只供原装，欢迎咨询

深圳市行进微电子有限公司
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深圳市芯乐创科技有限公司
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只做原装，专注提供BOM配单服务

深圳市安富世纪电子有限公司
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上海祥增电子科技有限公司
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深圳市思跃电子有限公司
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深圳市锂斯特电子有限公司
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一级代理现货，保证进口原装假一罚十价格合理

深圳市都乐芯电子有限公司
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SOT23/2021+
原装无铅大量现货，样品可出

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FDN359BN

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FDN359BN 概述

FDN359BN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT-23封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电池供电设备中的电源管理应用。其最大漏极电流可达2.1A，在栅极电压4.5V时导通电阻典型值为0.085欧姆。由于其低功耗和高效能特点，常被应用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备的负载开关和DC-DC转换器中。在电路设计时应注意控制栅极驱动电压以确保可靠导通，并合理布局PCB以减小寄生电感对高速开关性能的影响。使用时还应关注散热设计以维持器件稳定工作温度。

FDN359BN 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
46 毫欧 @ 2.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
650pF @ 15V
功率 - 最大
460mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
3-SSOT
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDN359BN-NDFDN359BNFSTR

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