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FDN361BN

更新时间:2025-05-25 19:47:27
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FDN361BN外观图

FDN361BN

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FDN361BN 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    110 毫欧 @ 1.4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    1.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    193pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    460mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    3-SSOT
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDN361BNTR
FDN361BN Datasheet数据手册 PDF下载
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