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FDS6990AS

更新时间:2025-07-03 15:09:47

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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FAIRCHI
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深圳市佳丽达电子有限公司
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认证现货
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市毅创腾电子科技有限公司
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海芯未来半导体电子（深圳）有
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市誉辉天成电子有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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ON Semiconductor(安森美)
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FDS6990AS

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

FDS6990AS 概述

FDS6990AS是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用Power56封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效直流-直流转换器、负载点(POL)稳压器以及电池供电设备等应用场合。在实际应用中，FDS6990AS常被用于同步整流电路中，作为次级侧的同步整流管，以提高电源转换效率。设计时应注意其最大漏源电压为30V，在布局PCB时尽量减小栅极回路电感，避免寄生振荡。此外，由于其具有较低的栅极电荷，可以使用较小的驱动电流来实现快速开关，有助于降低驱动损耗。

FDS6990AS 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
PowerTrench®, SyncFET™
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫欧 @ 7.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 15V
功率 - 最大
900mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDS6990AS-NDFDS6990ASTR

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