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FDS8333C

更新时间:2025-07-04 00:50:45
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FDS8333C外观图

FDS8333C

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N/P-CH 30V 4.1/3.4A 8SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDS8333C 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.1A，3.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    80 毫欧 @ 4.1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    282pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    900mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOICN
  • 包装
    带卷 (TR)
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