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FGL40N120AND

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FGL40N120AND外观图

  • 功耗, Pd::500W
  • 电压, Vceo::1.2kV
  • 封装类型::TO-264
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (19-Dec-2011)
  • 上升时间::20ns
  • 功率, Pd::500W
  • 功耗::500W
  • 封装类型::TO-264
  • 晶体管极性::?频道
  • 最大连续电流, Ic::64A
  • 电压, Vces::1.2kV
  • 电流, Ic @ Vce饱和::40A
  • 电流, Icm 脉冲::120A
  • 表面安装器件::通孔安装
FGL40N120AND 相关信息
  • 2012年2月13日维库电子市场网IC报价
    ...电子有限公司TCM2010-201-4P-TTDK/PBF SMD 08+ 8000 0.75元深圳市飞颉电子有限公司MD127SITI QFN10 06+Pb 4453 3.00元深圳一新电子有限公司75176BTI SOP8 2000000 0.32元深圳市昇发电子有限公司FGL40N120AND仙童 575 18.50元创尼克森(香港)有限公司S29GL064N90TFI010SPANSION TSOP56 11+ 1350 10.50元深圳市全通迅电子商行
  • 基于提高太阳能逆变器的转换效率的解决方案
    ...Stop,都针对降低导通损耗做了优化,但代价是较高的开关损耗,这使得它们不太适合于高频下的升压应用。 飞兆半导体在旧有NPT平面技术的基础上开发了一种可以提高高开关频率的升压电路效率的器件FGL40N120AND,具有43uJ/A的EOFF ,比较采用更先进技术器件的EOFF为80uJ/A,但要获得这种性能却非常困难。FGL40N120AND器件的缺点在于饱和压降VCE(SAT) (3.0V 相对于125?C的 2.1V) 较高,不过它...
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