其它信息：

2M位非易失性铁电存储器,结构容量为128K×16位,可用作/Us,/LB配置为256K×8；1万亿次的读写次数,写数据无延时,分页模式操作速度达40MHz,采用先进的高可靠性的铁电制造工艺；兼容SRAM,符合工业Std标准128K×16SRAM,存取时间60ns,周期时间110ns；低电压YDD监测保护存储器防止误写入；软件可编程模块写保护:相对于有电池后备的SRAM组件:不涉及电池；单片可靠性；真正表面贝占装解决方案；低功率操作:工作电压2.7～3.6V,低电流模式5μA（ZZ引脚）,工作电流18mA；工业标准配置:工业级温度－40～＋85℃；遵从RoHS标准
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厂家：RAMTRON [Ramtron International Corporation]
描述：2Mbit FRAM Memory

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