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FQA8N100C

更新时间:2025-05-02 17:08:57
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FQA8N100C外观图

  • 大小：1652KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.45 欧姆 @ 4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3220pF @ 25V
  • 功率 - 最大：225W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商设备封装：TO-3PN
  • 包装：管件
  • 其它名称：FQA8N100C-NDFQA8N100CFS
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