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FQB10N20CTM

更新时间:2025-06-22 12:57:24

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FQB10N20CTM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

FQB10N20CTM 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
360 毫欧 @ 4.75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
510pF @ 25V
功率 - 最大
72W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
带卷 (TR)

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