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FQB2N50TM

更新时间:2025-05-02 06:41:58
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FQB2N50TM的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FQB2N50TM外观图

  • 标准包装：800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.3 欧姆 @ 1.05A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：230pF @ 25V
  • 功率 - 最大：3.13W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：D²PAK
  • 包装：带卷 (TR)
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