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FQD11P06TM

更新时间:2025-05-28 17:56:30

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市博信盛科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市米数科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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深圳市芯乐创科技有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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FQD11P06TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD11P06TM 概述

FQD11P06TM是Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为-60V，在栅极驱动电压为-10V时，典型导通电阻仅为0.038Ω，适用于高效率的电源管理和负载切换应用。这款MOSFET广泛应用于汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中，如DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动等场景。在实际应用中，设计者应注意保持栅极驱动电路的稳定性，以确保MOSFET能够可靠地开启和关闭。为了提高抗干扰能力，可以在栅极串联一个小电阻，并且并联一个齐纳二极管来保护栅氧化层不受过压损害。在PCB布局时，应尽量减小源极和栅极之间的寄生电感，以减少开关过程中的振荡现象。

FQD11P06TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
185 毫欧 @ 4.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQD11P06TM-NDFQD11P06TMTR

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