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FQD1236/F H-5

更新时间:2025-05-24 01:07:20

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FQD1236/F H-5 概述

FQD1236/F H-5是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅源电压为4.5V时，最大导通电阻仅为0.037欧姆，这有助于降低开关损耗和提高效率。它适用于多种功率管理应用，如直流-直流转换器、电池供电设备以及电机驱动等场景。在电路设计中，需注意其最大漏极电流为12A，确保不超过此值以避免损坏器件。此外，由于它是MOSFET类型，在实际使用时要注意静电防护措施，防止因静电击穿而导致失效。在进行PCB布局时，应尽量减小源极与漏极之间的走线长度，减少寄生电感对电路性能的影响。

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