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FQD2N60

更新时间:2025-05-16 07:28:08

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FQD2N60 概述

FQD2N60是一款由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-251封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压(VDS)为600V，适用于高压应用场合。典型应用包括电源转换器、电机驱动、逆变器等工业控制领域以及照明系统中的电子镇流器。在实际应用中，为了确保可靠工作，需注意栅极驱动电路的设计，保证足够的驱动电压以充分开启MOSFET。同时，在布局PCB时应尽量减小源极引脚的寄生电感，避免高频振荡。此外，散热设计也不容忽视，特别是在大电流或高功率条件下使用时，应考虑添加适当的散热器以降低结温，提高器件的使用寿命。

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