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FQD9N08L

更新时间:2025-07-07 09:21:50

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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艾润（香港）电子有限公司
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深圳市天芯半导体科技有限公司
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得捷（深圳）商贸有限公司
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深圳市博洋芯微电子有限公司
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假一罚十，原装进口现货供应，只做原装

无锡固电半导体股份有限公司
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深圳市安桐派科技有限公司
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深圳市盈熙微科技有限公司
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FQD9N08L 概述

FQD9N08L是安森美半导体生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。基础描述方面，其最大漏源电压为80V，在25℃时连续漏极电流可达9A。此款MOSFET适用于多种应用场景，如直流-直流转换器、电源管理电路以及电机驱动等。在直流-直流转换器中，它的低导通损耗有助于提高转换效率；用于电源管理时，能有效控制电源的开启与关闭；在电机驱动应用里，可以提供足够的驱动能力并减少功耗。使用时应注意散热设计以保证其性能稳定发挥，且布局走线要尽量短以减小寄生电感影响。

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