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FQD9N25TM

更新时间:2025-06-06 08:41:09

供应商
产品型号
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封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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回收此型号FQD9N25TM

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FQD9N25TM外观图

FQD9N25TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD9N25TM 概述

FQD9N25TM是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压为250V，可承受高达9A的连续漏极电流，在栅极驱动电压为10V时典型导通电阻仅为0.34Ω。在实际应用中，这款MOSFET常用于AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动器以及照明控制电路等场合。使用时应注意保证栅极驱动电压足够高以实现最低导通电阻，减少功耗。此外，由于其较高的击穿电压，适合于需要高压侧开关的应用场景。在PCB布局时，尽量缩短源极与栅极之间的走线距离，减少寄生电感对开关性能的影响。

FQD9N25TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
420 毫欧 @ 3.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
700pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)

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