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FQPF7N65CYDTU

更新时间:2025-06-27 06:18:24

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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市汇创佳电子科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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艾润（香港）电子有限公司
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深圳市驰源科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F

封装:TO-220-3 整包

FQPF7N65CYDTU 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 欧姆 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1245pF @ 25V
功率 - 最大
52W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220F
包装
管件

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