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FQS4900TF

更新时间:2025-05-26 10:32:42
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FQS4900TF外观图

FQS4900TF

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N/P-CH DUAL 60V 8SOP

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FQS4900TF 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    QFET™
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V，300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.3A，300mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    550 毫欧 @ 650mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.95V @ 20mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    2.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOP
  • 包装
    带卷 (TR)
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