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FQT1N60CTF_WS

更新时间:2025-05-03 05:59:51
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FQT1N60CTF_WS外观图

  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11.5 欧姆 @ 100mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：170pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FQT1N60CTF_WSTR
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