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GB35XF120K

更新时间:2025-06-14 15:18:00
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GB35XF120K 规格参数
  • 数据列表
    GB35XF120K
  • 标准包装
    14
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    IGBT
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    NPT
  • 配置
    三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    3V @ 15V，50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    50A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
    3.475nF @ 30V
  • 功率 - 最大
    284W
  • 输入
    标准型
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    ECONO2
  • 供应商设备封装
    -
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