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HGT1S14N36G3VLT

更新时间:2025-07-13 08:28:37
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HGT1S14N36G3VLT外观图

HGT1S14N36G3VLT

Fairchild Semiconductor IGBT - 单路

IGBT ESD N-CHAN 380V TO-220AB

  • 封装:TO-220-3
HGT1S14N36G3VLT 规格参数
  • 标准包装
    800
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    IGBT - 单路
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    -
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    390V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.2V @ 5V，14A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    18A
  • 功率 - 最大
    100W
  • 输入类型
    逻辑
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220AB
  • 包装
    带卷 (TR)
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