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HGT1S2N120CN

更新时间:2025-06-22 23:44:51
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HGT1S2N120CN外观图

HGT1S2N120CN

Fairchild Semiconductor IGBT - 单路

IGBT NPT N-CH 1200V 13A I2PAK

  • 封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
HGT1S2N120CN 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    IGBT - 单路
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.4V @ 15V，2.6A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    13A
  • 功率 - 最大
    104W
  • 输入类型
    标准型
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装
    I2PAK
  • 包装
    管件
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