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HGT1S7N60B3DS

更新时间:2025-05-20 22:42:16

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封装/批号
说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
HGT1S7N60B3DS
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集好芯城，芯片集成，品质保证
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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46000
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艾润（香港）电子有限公司
HGT1S7N60B3DS-02
5000
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原装部分现货量大期货

深圳市金和信科技有限公司
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HGT1S7N60B3DS 概述

HGT1S7N60B3DS是由Hitachi生产的高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅结构，具有低导通压降和低开关损耗特性，适用于功率转换器、逆变器及电机驱动等场合。其最大集电极-发射极电压（Vce）可达600V，适合在高压环境下稳定工作。此型号具备内置的续流二极管，有助于简化电路设计并提高效率。工作温度范围宽泛，能在-40°C到+150°C之间可靠运行，适应各种恶劣环境。对于需要高效能量转换的应用场景，如工业自动化、可再生能源系统以及电动汽车充电设备中，HGT1S7N60B3DS是一个理想的选择。在实际应用时，需注意散热设计以确保器件长期稳定工作。

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