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HGTP3N60C3

更新时间:2025-05-16 10:16:01

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说明
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市科鑫美电子有限公司
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HGTP3N60C3 概述

HGTP3N60C3是一款由Hitachi生产的高压MOSFET，适用于高频开关电源应用。该器件最大漏源电压Vds为600V，适合在高电压电路中使用。其低栅极电荷和低导通电阻特性有助于提高开关效率并减少功耗。典型应用包括不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)电路以及各种开关模式电源(SMPS)设计。在实际应用中，建议将栅极驱动电压设置为15V以确保完全增强，并且注意适当的PCB布局以最小化寄生电感，这有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。由于其快速开关性能，需要特别关注缓冲电路的设计来抑制过冲和振铃现象。在进行电路设计时，需遵循制造商推荐的电气参数范围以保证可靠性和稳定性。

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