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IPD50N10S3L-16

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    IPD50N10S3L-16

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IPD50N10S3L-16外观图

  • 数据列表:IPD50N10S3L-16
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 60µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:64nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:4180pF @ 25V
  • 功率 - 最大:100W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:PG-TO252-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IPD50N10S3L-16-NDIPD50N10S3L-16TRSP000386185
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    深圳市赛恒电子科技有限公司
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