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IRF150

更新时间:2025-07-03 09:59:23
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IRF150 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    170 ns
  • 典型接通延迟时间
    35 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    50 → 125 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds
    3700 pF V @ 25
  • 安装类型
    通孔
  • 宽度
    26.67mm
  • 封装类型
    TO-3
  • 尺寸
    39.95 x 26.67 x 7.87mm
  • 引脚数目
    2
  • 最低工作温度
    -55 °C
  • 最大功率耗散
    150 W
  • 最大栅源电压
    ±20 V
  • 最大漏源电压
    100 V
  • 最大漏源电阻值
    0.065
  • 最大连续漏极电流
    38 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道类型
    N
  • 配置
    单
  • 长度
    39.95mm
  • 高度
    7.87mm
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