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IRF630

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IRF630 相关资料
  • 其它信息:

    9.0A/200V

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  • 大小:119.62KB
  • 厂家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述:N-channel mosfet transistor
  • 其它有关文件:IRF630 View All Specifications
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:MESH OVERLAY™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:400 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:700pF @ 25V
  • 功率 - 最大:75W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 工具箱:497-8004-KIT-ND - KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA
  • 其它名称:497-2757-5
IRF630 相关信息
  • ET521A 表的功能设计
    ...主电源电压为97 V,是行输出变压器损坏了吗?还是先测一下其他元件在说吧!经过测量原来是上阻尼二极管D402 损坏了。更换后,试机,发现已有图像,但图像有严重的枕形失真。于是先将枕校管Q447(IRF630)和无极性电容C541(4.7 μF)分别拆下测试,都是好的。用手摸电感L441 有些发热,难道是L441 坏了吗?马上拆下L441,将ET521A 表拨至LX 档,插上专用测试线,把电感夹上,表头显示只有9...
  • 常用晶体三极管.场效应管
    ... 表五:场效应管 型号 反压V 电流A 功率W 放大倍数 频率M 类型 型号 反压V 电流A 功率W 放大倍数 频率M 类型 2SK2485 900 6 100 N 2SK2718 900 2.5/7.5 40 2SK2645 600 9 50 2SK798 100 40 150 IRF630 200 9 75 * * NMOS 2SK799 450 12 120 IRF730 400 5.5 75 * * NMOS 2SK850 100 40 125 MTP5P25 250 5 75 PMOS 2SK1522 500 50 250 N 2SK1629 500 30 200 N 表六:音响功放配对三极管 型...
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