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IRF6662

更新时间:2024-04-12 13:56:07
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  • 深圳市创德丰电子有限公司

  • IRF6662TRPBF

    IRF6662TRPBF
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IRF6662外观图

  • 大小：271.07KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：DirectFet Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)
  • 典型关断延迟时间：24 ns
  • 典型接通延迟时间：11 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：22 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：1360 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：5.05mm
  • 封装类型：DirectFET MZ
  • 尺寸：5.45 x 5.05 x 0.6mm
  • 引脚数目：7
  • 最低工作温度：-40 °C
  • 最大功率耗散：2800 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：100 V
  • 最大漏源电阻值：0.022
  • 最大连续漏极电流：8.3 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：双源、四漏极、单
  • 长度：5.45mm
  • 高度：0.6mm
IRF6662 相关信息
  • IR的DirectFET MOSFET器件IRF6641TRPbF效率高达95%
    ...如果采用两颗IRF6641TRPbF器件的电路，MOSFET温度是最低的。 新器件有一个共用MZ占位面积，可以方便地将应用转换至其他中电压DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100V IRF6662器件。 新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET现已供货，其基本规格如下： IR已获专利的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优点。其金属罐结构可提供双面冷...
  • IR最新MOSFET效率高达95%
    ...果采用两颗IRF6641TRPbF 器件的电路，MOSFET 温度是最低的。 新器件有一个共用MZ 占位面积，可以方便地将应用转换至其他中电压DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100V IRF6662器件。 新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET现已供货。
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