IRF6678
5000
TSSOP/23+
优势产品大量库存原装现货
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-/2021+
主营品牌全新原装可供更多
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8000
-/23+
只做原装现货
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9900
DirectFET Isometric MX/23+
只做原装，提供配单服务，QQ281559972
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4980
TSSOP/2021+
只做原装假一罚十自己库存实单可议公司现货
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28683
QFN8/21+
原装现货终端免费提供样品
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10000
DirectFET MX/21+
原装正品
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DIRECTFET MX/23+22+
原装进口现货价优可出样品支持实单互惠互利BOM配单
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-/2023+
原装现货
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82801
-/23+
只做原装，提供配单服务
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NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
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-/21+
原厂渠道，现货配单13312978220
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540030
TO251/22+
十年配单，只做原装
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9000
DirectFET Isometric MX/22+
原厂渠道，现货配单
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7000
DirectFET/22+
终端可免费供样,支持BOM配单
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9000
DirectFET Isometric MX/22+
原厂渠道，现货配单
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8700
-/2023+
原装现货
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9000
DirectFET Isometric MX/23+
原厂渠道，现货配单
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12260
TSSOP/23+
高品质 优选好芯
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DirectFET Power MOSFET
IRF
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IRF6678
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
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IRF6678
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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IRF6678PBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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IRF6678TRPBF
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
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IRF6678TRPBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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IRF6678TR1PBF
MOSFET, N, DIRECTFET, 30V, MX; Trans...
International Rectifier
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设计，满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低（低导通电阻），逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐（st）directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐（mp）directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐（mx）directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为irf6678，满足更大电流和散热性能的需求。 新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器，以及先进的电信和数
tel和amd处理器的笔记本电脑设计。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻)，逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st) directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐(mp) directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为irf6678，满足更大电流和散热性能的需求。 新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器，以及先进的电信和数据通
小、需要提高电池使用效率的移动计算应用。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻)，逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st)directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐(mp)directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐(mx)directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为irf6678，满足更大电流和散热性能的需求。 新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器，
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