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IRF710

更新时间:2025-07-03 23:17:03

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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只做原装，可提供技术支持及配单服务

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IRF710 概述

IRF710是由国际整流器公司（现为英飞凌科技的一部分）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件设计用于高频开关应用，具有低栅极电荷和低导通电阻特性，有助于提高效率并减少开关损耗。其最大漏源电压（Vds）为400V，连续漏极电流（Id）可达5.8A，适用于多种功率转换电路。典型应用场景包括开关电源、直流-直流转换器、逆变器以及电机驱动等。在实际使用中，需确保栅极驱动电压足够以保证MOSFET完全导通，并注意散热设计以避免过热损坏。对于需要快速开关速度和高效能的场合，IRF710是一个不错的选择。在设计时应关注PCB布局优化，减小寄生电感对开关性能的影响。

IRF710 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
400V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
170pF @ 25V
功率 - 最大
36W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
*IRF710

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