IRF7104TRPBF
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HEXFET Power MOSFET
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HEXFET Power MOSFET
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HEXFET Power MOSFET
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MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
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hc573与dac-hk12bgc接口来控制其模拟输出,控制过程如下:at89c51通过cs_da与51_wr信号来启动dac,当dac低字节选择信号线cs_dal与单片机写使能线51_wr构成的组合逻辑有效时,向dac写入低8位数据,然后以相同方式写入高4位数据。为进一步提高精度,dac输出端连有电位器w1、w2,分别用来微调满偏和零偏。 dac输出的模拟电压信号da_out接入后级转化电路xtr110,先通过其片内的金属薄膜电阻网络提供输入的缩放比例及电流偏移,完成电压到电流的转换,再通过irf7104型场效应管输出电流。xtr110具有14位转换精度,0.005%的非线性度,确保了转换精度。电位器w3、w4分别用来微调输出电流零偏和满偏,进一步提高精度。 3 单片机控制程序设计 在电流源系统软件中设计了完整的通信协议,规定了电流源从上位机获得的控制命令字和相应的返回数据值。系统控制程序以at89c51型单片机作为控制核心,采用汇编语言编写,分为主程序和串口中断处理程序2部分。 3.1 主程序设计 主程序主要完成系统参数初始化、系统自检、串口中断配置等,流程如图5所示。图4 系统上电
4hc573与dac-hk12bgc接口来控制其模拟输出,控制过程如下:at89c51通过cs_da与51_wr信号来启动dac,当dac低字节选择信号线cs_dal与单片机写使能线51_wr构成的组合逻辑有效时,向dac写入低8位数据,然后以相同方式写入高4位数据。为进一步提高精度,dac输出端连有电位器w1、w2,分别用来微调满偏和零偏。 dac输出的模拟电压信号da_out接入后级转化电路xtr110,先通过其片内的金属薄膜电阻网络提供输入的缩放比例及电流偏移,完成电压到电流的转换,再通过irf7104型场效应管输出电流。xtr110具有14位转换精度,0.005%的非线性度,确保了转换精度。电位器w3、w4分别用来微调输出电流零偏和满偏,进一步提高精度。 3 单片机控制程序设计 在电流源系统软件中设计了完整的通信协议,规定了电流源从上位机获得的控制命令字和相应的返回数据值。系统控制程序以at89c51型单片机作为控制核心,采用汇编语言编写,分为主程序和串口中断处理程序2部分。 3.1 主程序设计 主程序主要完成系统参数初始化、系统自检、串口中断配置等,流程如图5所示。 系统上电后,mcu
可以试试irf7104